Chemical Vapor Deposition (CVD) 化学气相沉积 - 知乎 - 知乎专栏
CVD中的化学反应: pyrolysis(热分解), photolysis(光分解), reduction(还原反应, 和H 反应), oxidation(氧化反应), redox(氧化还原，和负离子反应，从负氧离子获得电子)。 CVD 过程： （1） Mass transport：注入气体 （wafer 上部和wafer 表面 gas flow 速度不同）
一文读懂气相化学沉积（CVD） - 知乎专栏
化学气相沉积（cvd）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。 一般来说，通过吸附气相前驱体的表面介导反应在基板上形成固体薄膜的任何…
微电子领域材料生长方法（三）化学气相沉积（CVD）_cvd化学气 …
2024年4月14日 · 等离子体增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD）是化学气相沉积（CVD）技术的一种变体，它利用等离子体来促进化学反应，从而在较低的温度下沉积薄膜。
实例详解！ Ansys Fluent在化学气相沉积（CVD）技术中的应用
等离子体化学气相沉积（PECVD-- plasma-enhanced chemical vapor deposition）反应器主要由宏观和微观两部分组成，如图2、3所示。 宏观部分：反应气体硅烷（SiH4）和氢气（H2）进入反应器，反应器中加有电离场，反应气体在电离的作用下形成SiH3和H。
知乎盐选 | 10.2 化学气相沉积
PECVD 代表等离子增强型化学气相沉积（Plasma-enhanced CVD），操作压力在 1～10Torr 之间。 由于等离子产生的自由基会增加化学反应速度，所以 PECVD 可以利用相对低的温度达到高的沉积速率，这对 ILD 层沉积非常重要。
7. 化学气相沉积法（CVD）的各种成膜方法与设备｜技术信息｜株 …
7.2 等离子CVD（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition） 这是一种将原料气体变成等离子状态，使其产生活性激发分子、自由基和离子来促进化学反应的方法。 其特点是能够在比热CVD更低的基片温度条件下制备薄膜，压力为100〜1Pa左右。
第7章CVD工序全解 - 百度文库
图 7.2.5 是 pecvd 装置的示意图，将玻璃基板置于低气压辉光放电的电极 上，然后通入适量气体，在一定的温度下，利用化学反应和离子轰击相结合的过 程，在玻璃基板表面上获得相应的功能薄膜。
时代芯存 半导体看科普系列——半导体工艺概述 薄膜工艺（CVD…
2020年7月8日 · 图4 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)淀积过程示意图. 原子层沉积 （Atomic layer deposition) 原子层沉积 是一种基于表面气象化学反应的薄膜沉积技术。由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用 ...
化学气相沉积 - 维基百科，自由的百科全书
等离子体增强化学气相沉积法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用等离子体增加前驱物的反应速率。PECVD技术允许在低温的环境下成长，这是半导体制造中广泛使用PECVD的最重要原因。
一篇文章读懂低压化学气相沉积（LPCVD） - 技术邻
2021年7月7日 · 低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。 LPCVD设备示意图如下图所示。
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