利用Plasma 在低温(<400℃)下进行的CVD。 Plasma中产生反应速度快,不稳定的radical,使沉积可能在低温(约300~400℃)中进行。 面板工艺主要使用PECVD。
化学气相沉积法,也称 CVD 法,其全称为Chemical Vapor Deposition。 该方法依靠 CVD管式炉 作为反应场所,将一种或多种反应前驱物通入反应炉石英管中,高温下在衬底表面发生反应生成所需的二维材料。
lpcvd 反应器通常在表面反应控制区操作,本章后面将给出介绍。沉积过程主要由晶圆的温度控制,与气体的流量无关。因此,晶圆可以在非常小的间距下垂直装载。与 apcvd 工艺比较,lpcvd 的大量晶圆装载可改进生产率并减小晶圆的成本。图 10.7 为 lpcvd 系统示意图。
化学气相沉积技术(cvd)主要是利用含有薄膜元素的气相物质在衬底表面进行化学反应生成薄膜的方法,该技术广泛应用于生产晶体、晶体薄膜,晶须,多晶/非晶材料膜。
cvd过程的热力学分析 运用化学平衡计算,估算沉积系统 中与某特定组分的固相处于平衡的气态物种的分压值,用以预言 沉积的程度和各种反应参数对沉积过程的影响。
等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced CVD,PECVD):利用等离子体增加前驱物的反应速率。PECVD技术允许在低温的环境下成长,这是半导体制造中广泛使用PECVD的最重要原因。
最常见的几种cvd反应类型有:热分解反应、化学合成等。 热分解反应(吸热反应,单一气源) 该方法在简单的单温区炉中,在真空或惰性气体保护
11.4 节将对这些金属的 cvd 工艺进行详细介绍。大部分金属沉积都是加热过程,外在的热量将提供化学反应所需的自由能。某些情况下,远程等离子体源产生自由基从而增加了化学反应速率。图 11.20 所示为金属化学气相沉积(cvd)系统的示意图。
根据化学反应的能量来源或是原料气体的不同,可以分为几种方法。cvd的概念图如图7.1所示。表7.1为根据反应形式的分类。 绝大多数情况下,cvd设备的真空排气系统只有粗排气系统。另外,由于原料是气体,关键点是要创造出一个均匀的气流。
等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法,分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。