PLD主要是机械泵和分子泵,而MBE有有更精细的cryopumpe 和ionpumpe,真空度更高也就提供了更好的生长环境。 3.PLD的原位表征手段一般只有RHEED,而MBE有LR、QMS、RHEED …
分子束外延则需要在超高真空(小于等于 133×10 — 10Pa)生长条件下,由一种或几种热原子束或分子束在加热的晶体衬底表面发生反应而获得外延层单晶薄层的工艺手段。分子束外延被广 …
外延生长的方法? 一般常用的三种半导体外延方法: 分子束外延(mbe):分子束外延)是一种在超高真空条件下进行的半导体外延生长技术。在此技术中,源材料以原子或分子束的形式被蒸 …
分子束外延技术的优点有哪些? 分子束外延的英文缩写为MBE,这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。 在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气, …
2024年8月15日 · 分子束外延(mbe),作为高科技领域的关键装备,能在纳米级别生长出高质量的半导体材料。 全球主要的MBE设备制造商包括Veeco、Riber、DCA、Sienta Omicron等, …
(3)由于生长是在超高真空中进行的,衬底表面经过处理可成为完全清洁的,在外延过程中可避免沾污,因而能生长出质量极好的外延层。 在分子束外延装置中,一般还附有用以检测表面 …
2016年5月31日 · 分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点:1)源和衬底分别进行加热和控制,生长温度低,如GaAs可在500摄氏度左右生长,可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与 …
2017年6月6日 · 原子层外延可以精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长,外延表面更加原子级平整,外延层的厚度只决定于外延的周期数,而对温度、束流大小等不敏感,可以在较低的 …
2016年5月31日 · 分子束外延法的影响在超薄层材料外延生长技术方面,mbe的问世,使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现,开拓了能带工程这一新的半导体领域。半导体材料科学的 …
2016年5月31日 · 分子束外延作为已经成熟的技术早已应用到了微波器件和光电器件的制作中。但由于分子束外延设备昂贵而且真空度要求很高,所以要获得超高真空以及避免蒸发器中的杂质 …